Faculté des Sciences-Exactes
Université Djillali Liabès de Sidi-Bel-Abbès
Les activités du laboratoire s'articulent autour de deux axes bien distincts mais complémentaires. Le premier est relatif aux techniques de microscopie électroniques (conventionnelle et environnementale) ainsi qu'à la microanalyse X de la matière. Ces techniques prennent en charge des aspects qui relèvent du domaine de la caractérisation des matériaux ainsi que ceux des dispositifs. Le deuxième axe prend en charge l'aspect modélisation dans différents domaines d'activité des équipes du laboratoire.
Directeur:
Prof. BASSOU Ghaouti
Depuis 2019
Un des aspects de simulation concerne la microscopie électronique environnementale qui a pour but la compréhension des phénomènes responsables de l'ionisation des gaz dans la chambre d'analyse et de la neutralisation des charges superficielles afin d'améliorer la résolution. Dans le volet des matériaux photovoltaïques des études consacrées aux méthodes théoriques appliquées à ces matériaux (les méthodes ab-initio, la mécanique moléculaire, la dynamique moléculaire les méthodes hybrides…) permettent de simuler les propriétés optiques et électronique de ce type de matériaux. Des contributions à l'amélioration des propriétés des cristaux photoniques et des filtres sélectifs en utilisant la méthode FDTD sont également développées par les membres du laboratoire.
Des simulations utilisant les méthodes ab-initio sont en parallèle exploitées pour l'étude des propriétés structurales, électroniques, thermiques, magnétiques et optoélectroniques de nouveaux matériaux à base de nouveaux semi-conducteurs, alliages, métaux...etc.) dans le but de développer et prédire de nouvelles fonctionnalités de ces matériaux.
- Microscopie électronique à balayage en environnement gazeux.
- Microanalyse élémentaire à dispersion de longueur d'onde et à dispersion d'énergie par sonde électronique
- Microscopie EBIC
- Microscopie optique en champ proche
- Cristaux photoniques
- Plasmon de surface, et la technique SPR
- Contribution à l'amélioration des propriétés des filtres sélectifs en utilisant la méthode FDTD
Etude ab-initio de la dépendance en température et en pression pour les matériaux ioniques et observations MEB associées.
Simulation Monte Carlo des propriétés de conduction électroniques d'alliages semiconducteurs. Les propriétés statiques sont déterminées par diverses méthodes de calcul ab initio.
- Compréhension des phénomènes menant a la neutralisation de charge dans les microscopes a haute pression (hpsem), et minimisation des effets indésirables de skirting sur les différents signaux (électrons secondaires et rétrodiffusés, rayons x).
- Développement des techniques de microscopie et microanalyse x. Caractérisation des matériaux et dispositifs a semiconducteurs par les techniques associées aux meb et a la microsonde.
- Simulation et étude du champ proche et du champ lointain optique diffusés par des structures nanométriques. Application aux dispositifs a base des cristaux photoniques.
- Modèles théoriques et programmes de simulation associés : étudier les alliages semiconducteurs par diverses méthodes de calcul ab initio. Ceci conduit a la détermination précise de la structure de bande (gap énergétique) du matériau, qui est nécessaire pour l'évaluation de son domaine d'application. Ensuite, la structure de bande entière est prise en compte dans la détermination des paramètres de transport électronique de ces matériaux.
- Développer le calcul parallèl en utilisant les structures en cluster